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SHH3M660T08S0規格書

發布時間：2024-03-20
750V 660A M0封裝 IGBT模塊
 
 
集電極-發射極阻斷電壓Vces=750V
 
 
                       額定電流Ic=660A
 
 
 
M028(660A)_SHH3M660T08S0_DATASHEET_C&E_V1.0.pdf
文件類型: .pdf 444f497cf149643a466acb3fed73b100.pdf (1.61 MB)
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