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SHH3M660T08S1規(guī)格書(shū)

發(fā)布時(shí)間：2024-03-20

 750V 660A M1封裝 IGBT模塊

 
 
集電極-發(fā)射極阻斷電壓Vces=750V
 
 
                       額定電流Ic=660A
 
 
M101_SHH3M660T08S1_DATASHEET_C&E_V1.0.pdf
文件類(lèi)型: .pdf 21dbff97622de41111906cf582e02e58.pdf (1.62 MB)

 

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